【芯视野】红出圈的氮化镓（GaN）：爆发前的黎明，突围还要蓄力

集微网报道 9月初的股市，并没有秋后的天高气爽之势，反而是不断滑落的大盘指数带给股民阵阵凉意。然而，有一个板块却逆势而动，在破万亿成交额的护航下一路飘红。
这就是第三代半导体板块。在整个产业即将进入国家战略规划消息的鼓舞下，第三代半导体技术再次成为了网红。作为行业双星之一的氮化镓（GaN），也因为在5G和功率市场的表现而再受瞩目。
破圈的2020年
小米在2020年初的一场发布会改变了GaN的命运。雷军展示了小米研发的65W GaN充电器，GaN材料也因此破圈成名。尽管已被业界内看做天选之子，GaN可从未获得如此高的待遇。
在媒体一轮又一轮的密集轰炸之下，GaN的优势已经人尽皆知：更大的禁带宽度更大，更高的临界击穿电场，更高的热导率更高，更高的饱和电子速率和电子迁移率等。因为性能上较第一、二代半导体材料有质的飞跃，GaN成为制作短波长发光器件、光电 ( 点击阅读全文 )

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