郭伟松_鑫鑫投资 发布于 2020-09-06 12:28:19
作者:大浪淘鲸
第一代半导体材料以硅为代表(Si和Ge);
第二代半导体材料砷化镓也已经广泛应用(GaAs、InP);
第三代半导体材料以氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等为代表,氮化镓第三代半导体核心材料;
第一代半导体材料应用在目前95%以上半导体器件中;
第二代半导体价格昂贵还有毒性;
而第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、 高压、高频以及高辐射等恶劣条件的新要求,相比Si基半导体可以降低50%以上的能量损失,最高可以使装备体积减小75%以上。
由于摩尔定律已经接近极限,传统Si晶体管性能进一步提升困难,新型底层材料是未来半导体的突破路径之一。
先进半导体材料已上升到国家战略层面,2025中国制造中规划到2025年要实现5G、高效能源管理 (
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