广东出台第三代半导体支持专项

下所列的全部内容，项目完成时应完成该专题（项目）下所列所有考核指标。
项目实施周期为 3-4年，参研单位总数不得超过 10 个。
专题 6 设 4 个课题，由项目单位提出具体研究内容和可考核的技术、经济指标，每个课题原则上支持 1 项，同一单位（含全资、参股、控股关联单位）支持不超过 1 项（高校除外）。所有专题除特殊说明外，鼓励大企业联合创新型中小企业、高校、科研院所等，产学研合作申报。
专题 1：第三代半导体材料生长技术和关键设备（专题编号：20190169）
项目 1.1：高质量氮化镓单晶材料制备及关键技术研究
研究内容
1）研究高质量低位错氮化镓（GaN）单晶衬底的关键制备技术：研究 GaN 的初始成核与生长中的位错拐弯与合拢的基本过程与形成机理，以及外延生长区流场温场的调控对晶体位错、应力形成的影响与优化；
2）研究 4-6 英 ( 点击阅读全文 )

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