集成电路产业迎来广阔发展空间

□本报记者 吴科任
重大突破
据报道，9月20日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片（DRAM）自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10nm级第一代8Gb DDR4首度亮相。就在9月2日，紫光集团旗下长江存储宣布已开始量产基于Xtacking架构的中国首款64层3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
DRAM即动态随机存储芯片，是一种主存储器（内存）。作为常见的系统内存，DRAM具有高容量、大带宽、低功耗、短延时、低成本等特点，广泛用于PC、手机、服务器等领域，是集成电路产业产值占比最大的单一芯片品类。而外储存器NAND Flash主要用于代码存储和数据存储等，广泛应用于消费电子、移动通信、网络通信、个人电脑、服务器等领域。
长江存储和长鑫存储的投产意义重大，有望打破存储 ( 点击阅读全文 )

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