TOPCon太阳能电池核心技术解读（转发）

N型单晶双面TOPCon电池技术基于N型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构，电池的背表面为H型栅线电极，可双面发电。
N型单晶双面TOPCon电池集成了以下核心电池技术
(1)离子注入掺杂多晶硅钝化技术;采用低压化学气相沉积法在基体硅表面依次形成隧穿氧化层和非晶硅层，通过离子注入精确控制掺杂原子的剂量和在多晶硅中的分布。
(2)低压硼扩选择性掺杂技术;轻掺杂区域表面浓度低至1E19cm-3，表面复合小，钝化后饱和电流密度J0<20fA/cm2，然后采用激光对金属-半导体接触区域进行重掺杂。
(3)化学回蚀清洗技术;采用缓冲型化学回蚀体系，反应速度精确可控，且具有差异化刻蚀功能，可有效保持重掺杂和轻掺杂区域的方阻梯度。
(4)异质膜钝化减反技术;电池正表 ( 点击阅读全文 )

→ 免费下载App，立即成为ETF达人