资助成果 | 我国学者在近零指数器件及其基片集成方面取得重要进展

图1 基片集成光学掺杂方法概念图：（a）直线型结构；（b）平面弯折型结构图2 基片集成光学掺杂方法的实验验证：（a）测试平台；（b）测试传输振幅、传输相位和群时延
在国家自然科学基金项目（批准号：61771280）等资助下，清华大学电子工程系李越副教授团队与美国宾夕法尼亚大学电气与系统工程系纳德·恩赫塔（Nader Engheta）教授、西班牙纳瓦雷公立大学的伊涅格·里博（Inigo Liberal）博士合作，提出并验证了基片集成的光学掺杂方法，为新型近零指数器件提供了实现手段。研究成果以“Substrate-integrated Photonic Doping for Near-zero-index Devices”（用于近零指数器件的基片集成光学掺杂）为题，于2019年9月11日发表在期刊Nature Communications（《自然·通讯》）上。清华大学电子工程系 ( 点击阅读全文 )

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