主流射频半导体材料及特性介绍

半导体材料是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。
随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，这篇文章会带我们来了解适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。 砷化镓GaAs砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效晶体管或高电子迁移率晶体管，在3 V 电压操作下可以有80 %的功率增加效率，非常的适用于高层(hightier)的无线通讯中长距离、长通信时间的需求。 砷化镓元件因电子迁移率比硅高很多，因此采用特殊的工艺，早期为MESFET 金属半导 ( 点击阅读全文 )

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